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1 AlGaN/GaN plasmonic terahertz electronic devices [会议论文]

作者:Shur, Michael^1

关键词:AlGaN/gaN;Electron sheet density;...

会议举办机构:ECSE and PAPA, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, United States^1

会议时间:

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2 Simulation of characteristics of microwave transistors with AlGaN heterostructures [会议论文]

作者:Pevtsov, E.Ph.^1;Demenkova, T.A.^1;Indrishenok, V.I.^1;等

关键词:AlGaN/gaN;Density of electrons;...

会议举办机构:Moscow Technological University (MIREA), Prospekt Vernadskogo 78, Moscow

会议时间:2019

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3 Impact of a superlattice on electrical properties of AlGaN/GaN/sapphire 2DEG structures [会议论文]

作者:Jaktas, V.^1;Janonis, V.^1;Biiunas, A.^1;等

关键词:AlGaN/gaN;AlGaN/GaN heterostructures;...

会议举办机构:Center for Physical Sciences and Technology, A. Gostauto 11, Vilnius

会议时间:2015

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4 Evaluation of the influence mode on the CVC GaN HEMT using numerical modeling [会议论文]

作者:Parnes, Ya M.^1,3;Tikhomirov, V.G.^1,3;Petrov, V.A.^1,3;等

关键词:AlGaN/gaN;GaN HEMTs;...

会议举办机构:Saint-Petersburg State Electrotechnical University LETT, St. Petersburg

会议时间:2016

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